該產品采用H橋電路結構設計,內部集成N溝道和P溝道功率MOSFET,特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成過溫保護,當電路內部溫度超過設定值時,關斷負載電流。當電路的結溫下降到預設溫度時,電路返回正常工作狀態;但電路不具有短路保護功能,當輸出對地短路、輸出對電源短路、輸出端短路時易導致電路損壞,使用時應避免發生短路,或者加入限流措施避免發生類似損壞。邏輯控制電源VCC與功率電源VDD內部完全獨立,實際使用中應分開布線,禁止將VCC與VDD直接接到一起,以防止VDD高壓對電路VCC端造成損傷。在電子鎖等應用中,當邏輯輸入信號INA\INB的高電平電壓大于2.4V時,VCC可以懸空。
特性:
低待機電流(小于0.1uA)
工作電壓范圍:2V-8V
持續輸出電流:1.3A(VDD=4.5V)
峰值輸出電流:1.5A(VDD=4.5V)低導通內阻—500毫安輸出電流時,內阻0.44歐姆較小的輸入電流
邏輯輸入INA\INB集成15K對地下拉電阻內置帶遲滯效應的過熱保護電路(TSD)
抗靜電等級:3KV(HBM)
應用:
2-4節AA/AAA干電池供電的玩具馬達驅動
2-5節鎳-氫/鎳-鎘充電電池供電的玩具馬達驅動
1節鋰電池供電的馬達驅動
電子鎖
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